我们的产品

我们是一家专注于晶圆片芯片制造的公司，拥有先进的无尘室和严格的质量控制，致力于提供高质量的芯片测试服务。我们的团队拥有丰富的专业知识和

膜厚量测

X射线反射法（XRR）是一种通过分析X射线在晶圆表面与内部界面产生的干涉图案，来无损精确测量薄膜厚度、密度和粗糙度的重要技术。 它在半导体先进制程的工艺开发与质量控制中扮演着关键角色。 

核心应用优势

  1. 绝对的测量标准：XRR是一种基于第一性原理的绝对技术，测量过程无需标准样品进行校准，确保结果的高度可靠性和可追溯性。事实上，它常被用来标定其他仪器的膜厚标准。
  2. 无损微观结构洞察：作为一种非破坏性方法，它能探测被其他层覆盖的"埋层"界面粗糙度，而这通常是光学方法无法触及的。
  3. 多功能集成分析：现代XRR系统常与其他技术，能在一次测量中同步获取厚度、密度、粗糙度和元素组成等多种信息

金属含量量测

X射线荧光分析（XRF）在芯片制造中是一种核心的计量技术，贯穿了从研发到量产的全过程 为应对更复杂的未来工艺，XRF技术正向更快、更小、更协同方向演进：

核心应用优势

  1. 更小节点：测量亚纳米级超薄薄膜，对设备灵敏度和信号处理提出更高要求。
  2. 3D结构测量：精准获取TSV、凸点等三维结构底部信息，提升光学设计和算法能力。
  3. 混合计量系统：将XRF与光学、XRD等集成，提供更全面数据，实现更精确工艺控制。
  4. 在线自动化与AI：通过机器人传送与智能管理，并用机器学习提升测量效率和精度。
  5. 适应新材料：支持SiC、GaN等宽禁带半导体及新型合金测量，推动XRF持续升级。


  • 掺杂与污染检测
  • 评估晶圆表面痕量金属污染，并对掺杂元素浓度和分布进行定性定量分析。
  • 先进封装与互连
  • 用于HBM及先进封装中微凸点金属组分和多层膜厚的快速高精度测量。

单晶衍射仪

是一种专门用来分析单晶材料结构的科学仪器，广泛应用于晶体学、材料科学、化学、药物设计、矿物学等领域。

核心应用优势

点缺陷 (Point Defects)

  1. 空位 (Vacancy)：晶格中原本应有的原子位置被留空，例如离子/原子缺失
  2. 间隙原子 (Interstitial) : 原子进入不属于晶格位点的位置，挤入晶格孔隙中
  3. 替代原子 (Substitutional)：外来原子取代晶格中的原子位置，会引起晶格扭曲
  4. Frenkel 缺陷：離子離開其正常位置，形成一對空位＋間隙原子
  5. Schottky 缺陷：陽、陰離子對成對消失，維持電中性圖中可以看到代表性的空位 (top-left)、間隙 (top-right)、Frenkel (bottom-right)、替代 (bottom-left) 。

線缺陷 (Line Defects)

  1. 邊緣位錯 (Edge Dislocation)：晶粒中多出一半原子層，會影響滑移與塑性
  2. 螺旋位錯 (Screw Dislocation)：晶格部分滑移形成螺旋結構，常見於塑性變形
  3. 面/界面缺陷 (Planar Defects)晶界 (Grain Boundary)：不同晶粒間的界面，影響硬度與強度孪晶界、堆垛錯層 (Stacking Faults) 等會改變材料的機械/電子特性

面/界面缺陷 (Planar Defects)

  1. 晶界 (Grain Boundary)：不同晶粒間的界面，影響硬度與強度
  2. 孪晶界、堆垛錯層 (Stacking Faults) 等會改變材料的機械/電子特性

晶体分析

X射线衍射（XRD）技术通过分析X射线在材料晶格上产生的"晶体指纹"——即衍射图谱，提供非破坏性、高精度的关键量化指

X射线衍射（XRD）技术因其对材料微观结构 "看得见、摸得着"的精确量化能力，已成为先进半导体制造的核心在线监控工具之一，尤其在从成熟制程迈向2nm以下节点的过程中，其作用愈发关键 

核心应用领域

外延层表征

精确测量成分(如组分比例)、厚度、弛豫度、缺陷密度。它还能分析量子阱和超晶格等周期性结构的质量 ,化合物半导体（氮化镓 GaN、碳化硅 SiC 等）的工艺开发与质量管理

应力工程监控

通过测量晶格间距的细微变化，精确量化残余应力和晶格应变，对提升芯片速度和良率至关重要 ,鳍式场效应晶体管（FinFET）和全环绕栅极（GAA）等先进制程

晶体取向分析

确定晶圆的晶体切向，检测晶粒的择优取向（织构），确保在最优方向上进行器件加工，提升良率 ,指导晶圆切割或为后续光刻提供定向基准。

先进工艺监控

对复杂的多层超晶格结构进行直接的无损测量。测量速度已大幅提升,2nm及更先进逻辑芯片、HBM、3D DRAM等尖端器件 。

封装与材料研发

在封装环节，XRD可用于监测芯片翘曲和焊点可靠性分析。在材料研发中，它则用于分析新材料的晶体结构和相变。 系统级封装（SiP）、焊点失效分析、新型半导体材料（如钙钛矿）开发

在线断层扫瞄检查机

CT在线电池检测机，是将工业计算机断层扫描（CT）技术集成于产线，对电池内部结构和缺陷进行100%全检、非破坏性的高速自动化检测设备 

 主要缺陷检测类型

  • 极片物理形态缺陷：检测褶皱、断裂、破损等形态失稳问题。

  • 尺寸精度与结构异常：精准测量正负极片间距（Overhang）、极耳焊接质量及极片层数。

  • 内部清洁度与异物：有效识别并定位微米级的金属异物颗粒等污染。

  • 基础工艺违规：检查极片翻折、入壳尺寸偏差、极耳干涉等基础结构问题

厂商在选型时，应综合评估关键性能指标并匹配实际产线需求：

  1. 决定性的核心指标

    • 秒级扫描 & 高吞吐量：关注 节拍（PPM） 是否匹配产线速度，以及最终配套AI算法产出的误判率（<0.5%~0.1%）。

  2. 匹配产线的高效集成

    • 注意 电芯传输和分选 方式是否与产线顺畅对接，并支持与工厂的 MES系统 进行数据交互，实现闭环管理。

    • AI检测 的重点应看其识别算法是否针对海量数据进行过训练，能否从基础模型中快速微调以应对新产品切换。

  3. 满足多规格的兼容性

    • 兼容性：确保设备能处理不同尺寸的电池形态（方形、圆柱、软包），并关注更换品种时切换的自动化程度。


静电消除器

X射线静电消除器的显著优势源于它与传统电晕放电式设备的根本差异

产生离子的方式：X射线式无需高电压和电极，采用光子照射空气产生离子，无火花和电磁干扰。电晕式则需高压放电针，有火花和电磁干扰风险

离子输送方式：X射线式无需气流，静默工作，离子在目标物附近原位生成，可有效处理粉尘和重量轻的物体。电晕式需要气流配合，会产生紊流和噪音

离子平衡性：X射线式可"同时""等量"产生正负离子，离子平衡极佳，不会造成"过冲"（即反向带电）。电晕式相对较差，需复杂控制以防过冲

维护与洁净度：X射线式无放电针、无摩擦，不产生臭氧和粉尘，几乎免维护。电晕式需定期清洁或更换电极，会产生臭氧和粉尘

核心优势汇总

  • "无接触"式除静电：可在不接触且不引入气流的情况下，对有气流禁忌的场景（如粉末喷涂）完成局部除静电。

  • 满足高洁净标准：这一特性特别适用于对洁净度和静电控制要求极高的芯片、液晶面板、有机EL显示器等精密电子制造环境，能确保无尘与安全。

  • 极佳的离子平衡：在不产生颗粒物和有害气体的同时，不存在"过冲"风险，保证工作表面的绝对安全

X射线静电消除器（软X射线光电离）代表着静电控制领域的一种高阶方案。它以无气流、无尘埃、无接触、无需维护且离子平衡性极佳的卓越性能，在精密制造和特殊工艺领域建立起了难以替代的技术壁垒。